传统CMOS代工厂或因囿于资源所限,迭代速度较慢,从而影响工艺开发进度,而国内各大科研院所虽可在实验室阶段加快迭代速度,但没有标准的12寸量产产线,实验成果往往很难走向量产。
昕原自行搭建的28/22nm ReRAM(阻变存储器)12寸中试生产线就解决了上述问题。汲取了代工厂和实验室的长处,迭代速度快, 产线灵活,拥有自主可控的知识产权,使得ReRAM相关产品的快速实现变成了可能。
“作为大陆首条28/22nm ReRAM12寸中试生产线,我们产线的顺利导通并完成产品的验证和实现量产,将极大带动我国新型存储行业发展。”
昕原半导体相关负责人表示,“而在这一领域,目前国内外差距较小,壁垒尚未形成,为我国存储器产业实现‘弯道超车’提供了可能。”